igbt

[برق و الکترونیک] insulated-gate bipolar transistor-ترانزیستور دو قطبی گیت - عایق ( آی جی بی تی ) قطعه ای نیمه رسانا، چهارلایه، و پرتوان با ترکیبی از مشخصه های ماسفت توان و تریستور. در این قطعه یک ترانزیستور ( پی ان پی ) به صورت زوج شبه دارلینگتون با یک ماسفت کانال ( ان ) بسته می شود . یک جی فت داخلی نیز بیشتر ولتاژ را بر می دارد و سبب می شود ماسفت داخلی ولتاژ نامی کمتر ومقاومت ( وصل ) درین به سوسه ( آر دی اس ) بصورت ( on) کوچکتری نسبت به ماسفتهای مشابه داشته باشد . این امر امکان کار در مدارهای با ولتاژ بیش از 300ولت را می دهد . سطح مقطع آن مشابه با ماسفت توان است به جز در مورد بستر p بتوان مثبت که باعث تشابه بیشتر عملکرد ( آی جی بی تی ) با ترانزیستور های دو قطبی می شود تا ماسفتهای توان . با استفاده از این قطعه در منابع تغذیه قطع و وصلی، می توان تبدیل DC به AC انجام داد و یک موتور یا وسیله ی الکتریکی را راه انداخت .